ผลต่างระหว่างรุ่นของ "ไดโอด"

เมื่อใช้สมการชอทท์กี้ไดโอด ค่าความต้านสัญญาณขนาดเล็ก (<math>r_D</math>) ของไดโอดสามารถเข้ามาเกี่ยวกับจุดปฏบัติการณ์ (Q-point) ที่กระแสไบอัสกระแสตรง (<math>I_Q</math>) และแรงดันใช้งานที่จุดปฏิบัติการณ์ (<math>V_Q</math>) <ref name=jaeger/> แรกเริ่มเดิมทีค่าความนำสัญญาณขนาดเล็ก (<math>g_D</math>) ถูกตั้งขึ้น นั่นคือประจุไฟฟ้าในกระแสไฟฟ้าที่ไหลในไดโอดที่เกิดมาจากการเปลี่ยนแปลงเล็ก ๆ ของแรงดันที่ตกคร่อมไดโอดหารด้วยแรงดันตกคร่อมไดโอดนั้น ดังสมการ

 

 

การประมาณค่าเกิดมาจากการอนุมานว่ากระแสไบอัส <math>I_Q</math> นั้นมากพอที่จะทำให้ค่าตัวประกอบ (factor) ของส่วนที่ละเลยได้จากสมการชอทท์กี้มีค่าเท่า 1 โดยการประมาณนี้มีความถูกต้องแม้แรงดันจะมีค่าต่ำ เพราะแรงดันอันเนื่องมาจากความร้อน (thermal voltage) <math>V_T \approx 26\, \mathrm{mV}</math> ที่อุณหภูมิ 300 เคลวิน (27 องศาเซลเซียส) ดังนั้น <math>V_Q/V_T</math> มีแนวโน้มมากขึ้น หมายความว่าตัวชี้กำลังมีค่าสูงมาก