ผลต่างระหว่างรุ่นของ "หน่วยความจำแฟลช"
เนื้อหาที่ลบ เนื้อหาที่เพิ่ม
Nullzerobot (คุย | ส่วนร่วม) ล ลบลิงก์ที่ซ้ำซ้อน wikidata |
ลไม่มีความย่อการแก้ไข ป้ายระบุ: เครื่องมือแก้ไขต้นฉบับปี 2560 |
||
บรรทัด 5:
หน่วยความจำแฟลชพัฒนาต่อมาจาก [[EEPROM]] (หน่วยความจำแบบ[[รอม]]ที่สามารถลบข้อมูลได้) ปัจจุบันหน่วยความจำแฟลชมีด้วยกันสองชนิดคือ หน่วยความจำแฟลชชนิด [[ลอจิกเกต#.E0.B9.80.E0.B8.81.E0.B8.95_NOR|NAND]] และหน่วยความจำแฟลชชนิด [[ลอจิกเกต#.E0.B9.80.E0.B8.81.E0.B8.95_NOR|NOR]] ซึ่งเป็น NAND และ NOR เป็นชื่อของโลจิกเกตที่เซลล์หน่วยความจำแฟลชแต่ละชนิดใช้
หน่วยความจำแฟลชชนิดที่ได้รับความนิยมในปัจจุบันคือ ชนิด NAND และใช้เป็นหน่วยความจำใน [[แฟลชไดรฟ์]], [[โซลิดสเตตไดรฟ์]], [[เมโมรีการ์ด]] และมีผลิตภัณฑ์อื่นๆ อีกมาก โดยถูกใช้เป็นหลักในอุปกรณ์พกพาเนื่องจากสามารถ
|