ผลต่างระหว่างรุ่นของ "ทรานซิสเตอร์"
เนื้อหาที่ลบ เนื้อหาที่เพิ่ม
ย้อนก่อกวน |
|||
บรรทัด 17:
== ประวัติ ==
[[ไฟล์:Replica-of-first-transistor.jpg|thumb|แบบจำลองของทรานซิสเตอร์ที่ทำงานเป็นครั้งแรก.]
หลอดสูญญากาศแบบ triode thermionic ที่ถูกประดิษฐ์ขึ้นในปี [[ค.ศ. 1907]] ขับเคลื่อนยุคของอิเล็กทรอนิกส์ไปข้างหน้าด้วยการเปิดใช้งานเทคโนโลยีวิทยุและขยายระบบโทรศัพท์ทางไกล. อย่างไรก็ตาม อุปกรณ์ดังกล่าวเปราะบางและบริโภคพลังงานมาก นักฟิสิกส์ชื่อ Julius Edgar Lilienfeld ได้ยื่นสิทธิบัตรสำหรับทรานซิสเตอร์แบบ Field Effected หรือ FET ในประเทศแคนาดาใน ปี [[ค.ศ. 1925]] ซึ่งมีจุดมุ่งหมายที่จะเปลี่ยนหลอดสูญญากาศให้เป็นวัสดุ solid state.<ref>Vardalas, John, [http://www.todaysengineer.org/2003/May/history.asp Twists and Turns in the Development of the Transistor] ''IEEE-USA Today's Engineer'', May 2003.</ref><ref>Lilienfeld, Julius Edgar, "Method and apparatus for controlling electric current" {{US patent|1745175}} 1930-01-28 (filed in Canada 1925-10-22, in US 1926-10-08).</ref> Lilienfeld ยังได้ยื่นสิทธิบัตรที่เหมือนกันในประเทศสหรัฐอเมริกาในปี 1926 และ 1928. แต่ Lilienfeld ไม่ได้ตีพิมพ์บทความวิจัยใดๆเกี่ยวกับอุปกรณ์ของเขา และในสิทธิบัตรของเขาก็ไม่ได้ยกตัวอย่างที่เฉพาะเจาะจงใดๆของต้นแบบการทำงาน. เป็นเพราะการผลิตวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ที่มีคุณภาพสูงยังคงเป็นทศวรรษข้างหน้า, ความคิดเรื่องเครื่องขยายเสียงที่ใช้ solid state ของ Lilienfeld ก็จะไม่ได้มีการใช้งานจริงในช่วงทศวรรษที่ 1920 และ 1930 ถึงแม้ว่าอุปกรณ์ดังกล่าวจะถูกสร้างขึ้นจริง. ในปี [[ค.ศ. 1934]] นักประดิษฐ์ชาวเยอรมัน Oskar Heil ได้จดสิทธิบัตรอุปกรณ์ที่คล้ายกันนี้
[[ไฟล์:Bardeen Shockley Brattain 1948.JPG|thumb|left|John Bardeen, William Shockley และ Walter Brattain ที่ Bell Labs, ค.ศ. 1948.]]
จาก 17 พฤศจิกายน 1947 ถึง 23 ธันวาคม 1947 จอห์น Bardeen และวอลเตอร์ Brattain ที่ เบลล์แล็บของ AT & T ประเทศสหรัฐอเมริกา ได้ทำการทดลองและสังเกตเห็นว่า เมื่อจุดสัมผ้สทองสองจุดถูกนำไปเชื่อมต่อกับผลึกของเจอร์เมเนียม สัญญาณที่ถูกผลิตออกมามีมากกว่าสัญญาณที่ป้อนเข้าไป. วิลเลียม Shockley หัวหน้ากลุ่มฟิสิกส์ solid state เห็นศักยภาพในเรื่องนี้และตลอดเวลาหลายเดือนต่อมาได้ทำงานเพื่อช่วยขยายความรู้ของเซมิคอนดักเตอร์. คำว่าทรานซิสเตอร์ตามคำประกาศเกียรติคุณโดย จอห์น อาร์ เพียร์ซ เป็นคำย่อของคำว่า "transfer resistor"<ref>{{cite book|author=David Bodanis|title=Electric Universe|publisher=Crown Publishers, New York|year=2005|isbn=0-7394-5670-9}}</ref><ref>{{cite encyclopedia|encyclopedia=American Heritage Dictionary|edition=3rd|year=1992|publisher=Houghton Mifflin|location=Boston|title=transistor}}</ref>. อ้างอิงจาก ลิเลียน Hoddeson และ วิคกี้ Daitch ผู้เขียนชีวประวัติของจอห์น Bardeen, Shockley ได้เสนอว่า สิทธิบัตรแรกของเบลล์แล็บสำหรับทรานซิสเตอร์ควรอยู่บนพื้นฐานของ field-effected และบอกว่าเขาควรจะถูกตั้งชื่อว่าเป็นผู้ประดิษฐ์ ทนายความที่ Bell Labs แนะนำที่ค้านกับข้อเสนอของ Shockley เพราะความคิดของทรานซิสเตอร์ที่ใช้ field effect เป็น "grid"ไม่ใช่ของใหม่ แต่สิ่งที่ Bardeen , Brattain และ Shockley คิดค้นในปี 1947 เป็นทรานซิสเตอร์แบบ point-contacted เป็นครั้งแรก. ในการรับรู้ของความสำเร็จนี้ Shockley , Bardeen และ Brattain จึงได้รับรางวัลโนเบลในสาขาฟิสิกส์ประจำปี 1956 ร่วมกัน "สำหรับงานวิจัยของพวกเขาเกี่ยวกับเซมิคอนดักเตอร์ และการค้นพบของผลกระทบทรานซิสเตอร์ ของพวกเขา"<ref>{{cite web|title=The Nobel Prize in Physics 1956|url=http://nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates/1956/}}</ref>
[[ไฟล์:Philco Surface Barrier transistor=1953.jpg|thumb|ทรานซิสเตอร์แบบ surface barrier ของ Philco ถูกพัฒนาและผลิตในปี 1953]]
ทรานซิสเตอร์ความถี่สูงตัวแรกคือทรานซิสเตอร์แบบเจอร์เมเนียม surface-barrier พัฒนาโดย Philco ในปี 1953 มีความสามารถในการทำงานได้ถึง 60 MHz<ref>Proceeding of the IRE, Dec 1953, Author: W.E. Bradley - Philco Corp.,Research Division, Volume 41 issue 12, pages 1702-1706</ref>. ถูกสร้างขึ้นมาโดยการยุบตัวด้วยการสลักที่ฐานของ N-type เจอร์เมเนียมทั้งสองด้านด้วยการฉีดแรงๆด้วยอินเดียม (III) ซัลเฟตให้มีความหนาไม่กี่ 10 ส่วน 1000 ของนิ้ว อินเดียมที่ถูกเคลือบด้วยไฟฟ้าจนเป็นรอยยุบตัวกลายเป็น collector และ emitter<ref>Wall Street Journal, Dec 04 1953, page 4, Article "Philco Claims Its Transistor Outperforms Others Now In Use"</ref><ref>Electronics magazine, January 1954, Article "Electroplated Transistors Announced"</ref>. วิทยุติดรถยนต์เครื่องแรกที่เป็นทรานซิสเตอร์ทั้งหมดซึ่งถูกผลิตในปี ค.ศ. 1955 โดยไครสเลอร์และ Philco ใช้ทรานซิสเตอร์เหล่านี้ในวงจรวิทยุเครื่องนั้น และทรานซิสเตอร์เหล่านี้เป็นพวกแรกที่เหมาะสำหรับคอมพิวเตอร์ความเร็วสูง.
ทรานซิสเตอร์ซิลิคอนที่ใช้งานได้เป็นตัวแรกได้รับการพัฒนาที่ Bell Labs เมื่อ 26 มกราคม 1954 โดย มอร์ริส Tanenbaum<ref>IEEE Spectrum, The Lost History of the Transistor, Author: Michael Riordan, May 2004, pp 48-49</ref>. ทรานซิสเตอร์ซิลิคอนเชิงพาณิชย์ตัวแรกถูกผลิตโดย Texas Instruments ในปี 1954<ref>J. Chelikowski, "Introduction: Silicon in all its Forms", ''Silicon: evolution and future of a technology'' (Editors: P. Siffert, E. F. Krimmel), p.1, Springer, 2004 ISBN 3-540-40546-1.</ref> ซึ่งเป็นผลงานของ กอร์ดอน Teal ผู้เชี่ยวชาญในการปลูกผลึกความบริสุทธิ์สูง ที่เคยทำงานที่ Bell Labs. ทรานซิสเตอร์ MOS ที่สร้างขึ้นจริงตัวแรกถุกสร้างโดย Kahng และ Atalla ที่ Bell Labs ในปี 1960<ref>W. Heywang, K. H. Zaininger, "Silicon: The Semiconductor Material", ''Silicon: evolution and future of a technology'' (Editors: P. Siffert, E. F. Krimmel), p.36, Springer, 2004 ISBN 3-540-40546-1.</ref>.
== ความสำคัญ ==
[[ไฟล์:Darlington transistor MJ1000.jpg|thumb|ทรานซิสเตอร์ดาร์ลิงตันถูกเปิดออกให้เห็นชิปของทรานซิสเตอร์จริง (สี่เหลี่ยมเล็ก)ที่อยู่ภายใน ทรานซิสเตอร์ดาร์ลิงตันมีทรานซิสเตอร์สองตัวบนชิปเดียวกัน ทรานซิสเตอร์ตัวหนึ่งมีขนาดใหญ่กว่าอีกตัวหนึ่ง แต่ทั้งสองตัวมีขนาดใหญ่กว่าทรานซิสเตอร์ใน[[การรวมวงจรขนาดใหญ่มาก]] เพราะ ทรานซิสเตอร์ดาร์ลิงตันถูกสร้างมาเป็นเพาเวอร์ทรานซิสเตอร์โดยเฉพาะ]]
ทรานซิสเตอร์เป็นส่วนประกอบแบบแอคทีฟที่สำคัญในการใช้งานจริงของงานอิเล็กทรอนิกส์ที่ทันสมัย หลายคนคิดว่ามันจะเป็นหนึ่งในสิ่งประดิษฐ์ที่ยิ่งใหญ่ที่สุดของศตวรรษที่ 20. ความสำคัญในสังคมปัจจุบันอยู่บนความสามารถที่จะถูกผลิตออกมาเป็นจำนวนมากๆโดยใช้กระบวนการอัตโนมัติอย่างสูง (ในการผลิตอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์) ทำให้ค่าใช้จ่ายต่อหน่วย ทรานซิสเตอร์ที่ต่ำอย่างน่าอัศจรรย์. การประดิษฐ์ของทรานซิสเตอร์ตัวแรกที่เบลล์แล็บ ถือว่า เป็น IEEE Milestone ในปี 2009.
แม้ว่าหลายๆบริษัทจะผลิตทรานซิสเตอร์ตัวเดี่ยวๆกว่าพันล้านตัวทุกปี ส่วนใหญ่ของ ทรานซิสเตอร์ในปัจจุบันถูกผลิตในรูปแผง[[วงจรรวม]] (มักจะเรียกสั้นๆว่า IC, ไมโครชิป หรือแค่ ชิป) พร้อมกับ[[ไดโอด]] [[ตัวต้านทาน]] [[ตัวเก็บประจุ]] และ [[ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์]]อื่น ๆ เพื่อผลิตเป็น วงจรอิเล็กทรอนิกส์ที่สมบูรณ์แบบ. [[ลอจิกเกต]]ตัวหนึ่งอาจประกอบด้วยทรานซิสเตอร์มากถึง ประมาณยี่สิบตัว ในขณะที่ไมโครโปรเซสเซอร์ที่ทันสมัยในปี 2009 อาจใช้ ทรานซิสเตอร์(MOSFETs) มากถึง 3 พันล้านตัว.
ทรานซิสเตอร์ที่มีต้นทุนต่ำ, มีความยืดหยุ่น และมีความน่าเชื่อถือ ได้ทำให้มันเป็นอุปกรณ์ที่ แพร่หลาย วงจรเครื่องกลทรอนิกส์ที่ใช้ทรานซิสเตอร์ได้เข้ามาแทนที่อุปกรณ์เครื่องกลไฟฟ้า ในการควบคุมเครื่องใช้ไฟฟ้าในบ้านและเครื่องจักรกล มันง่ายกว่าและถูกกว่าในการใช้ไมโครคอนโทรลเลอร์มาตรฐาน และเขียนโปรแกรมคอมพิวเตอร์ในการควบคุมฟังก์ชัน มากกว่าการที่จะออกแบบฟังก์ชันการควบคุมด้วยกลไกในฟังชั่นที่เทียบเท่ากัน
==การทำงานอย่างง่าย==
[[ไฟล์:Transistor Simple Circuit Diagram with NPN Labels.svg|thumb|ไดอะแกรมของวงจรอย่างง่ายที่แสดงทรานซิสเตอร์สองขั้ว(ขั้ว n และขั้ว p) แบบ n-p-n.]]
ประโยชน์ที่สำคัญของทรานซิสเตอร์มาจากความสามารถในการใช้สัญญาณขนาดเล็กที่ป้อนให้ ระหว่างขั้วไฟฟ้าคู่หนึ่ง เพื่อควบคุมสัญญาณที่มีขนาดใหญ่กว่ามากที่อีกคู่หนึ่งของขั้วไฟฟ้า คุณสมบัติแบบนี้เรียกว่า gain (สามารถคำนวณได้จากนำสัญญาณเอาต์พุต หารด้วยอินพุท ถ้าได้ผลลัพธ์มากกว่า 1 แสดงว่าวงจรนั้นเป็นวงจรขยาย) ทรานซิสเตอร์สามารถควบคุมสัญญาณเอาต์พุตให้เป็นสัดส่วนกับสัญญาณอินพุท นั่นคือมันสามารถทำหน้าที่เป็น amplifier หรืออีกแบบหนึ่ง ทรานซิสเตอร์สามารถใช้ในการเปิดหรือปิดกระแสในวงจร(สวิตช์)ควบคุมระบบไฟฟ้าที่ปริมาณ ของกระแสไฟฟ้าจะถูกกำหนดโดยองค์ประกอบวงจรอื่น ๆ
ทรานซิสเตอร์มีสองประเภท ซึ่งมีความแตกต่างกันเล็กน้อยในวิธีการที่ พวกมันจะถูกใช้ในวงจร แบบแรกเป็น ทรานซิสเตอร์สอง pole ที่มีขา Base, Collector และ Emitter กระแสขนาดเล็ก ที่ ขา base (ที่ไหลระหว่าง base กับ emitter) สามารถควบคุม หรือ สวิตช์ กระแสที่มีขนาดใหญ่มากที่ไหลระหว่าง collector กับ emitter. สำหรับทรานซิสเตอร์ field-effect ขาจะมีป้ายกำกับเป็น Gate, Source และ Drain แรงดันไฟฟ้าที่ gate สามารถควบคุมกระแส ระหว่าง source และ drain
ภาพทางขวาแทนทรานซิสเตอร์สอง pole โดยทั่วไปในวงจร. ประจุไฟฟ้าจะไหลระหว่าง emitter กับ collector ขึ้นอยู่กับ กระแสใน base. เนื่องจากการเชื่อมต่อระหว่าง base และ emitter ภายใน ทำตัวเหมือนไดโอด, แรงดันไฟฟ้าจะตกคร่อมระหว่าง base และ emitter เมื่อมีกระแส base ไหลผ่าน ปริมาณของแรงดันนี้จะขึ้นอยู่กับวัสดุที่ใช้ทำทรานซิสเตอร์นั้น และจะมีค่าที่เรียกว่า Vbe
===ทรานซิสเตอร์เป็นสวิตช์===
[[ไฟล์:Transistor as switch.svg|thumb|150px|BJT ใช้เป็นสวิตช์อิเล็กทรอนิกส์ในรูปแบบ emitter ลงกราวนด์.]]
ทรานซิสเตอร์ถูกใช้กันทั่วไปให้ทำหน้าที่เป็นสวิตช์อิเล็กทรอนิกส์, ทั้งสำหรับการใช้งาน พลังงานสูง เช่น switched-mode power supplies และ สำหรับการใช้งานพลังงานต่ำ เช่น [[ลอจิกเกต]]
ในวงจรทรานซิสเตอร์แบบ emitter ลงกราวด์ ตามรูป เป็นวงจรสวิตช์ไฟแสงสว่างที่ในสถานะปกติจะ OFF หลอดไฟก็จะ''ปิด'' เมื่อแรงดันไฟฟ้าที่ base สูงขึ้น, กระแส emitter และ collector (I<sub>ce</sub>) เพิ่มขึ้นแบบ exponential จนอิ่มตัว ({{lang-en|saturate}}) แรงดันที่ collector จะลดลงเข้าใกล้ emitter (หรือใกล้ศูนย์) กระแส I<sub>ce</sub> จะไหลผ่านโหลดเต็มที่ ซึ่งในวงจรนี้คือหลอดไฟ ทำให้หลอดไฟ"เปิด" เราจึงเรียกสถานะของสวิตช์ในขณะนี้ว่า ''ON''
การให้กระแสที่ base (I<sub>be</sub>) อย่างเพียงพอเป็นปัญหาที่สำคัญในการใช้ทรานซิสเตอร์ให้ทำงานเป็นสวิตช์. ทรานซิสเตอร์ให้ gain เป็นกระแส จึงได้กระแสค่อนข้างมากที่ collector ที่จะถูกสลับ โดยกระแสที่มีขนาดเล็กใน base อัตราส่วนของกระแสเหล่านี้แตกต่างกันไป ขึ้นอยู่กับชนิด ของทรานซิสเตอร์และแม้กระทั่งทรานซิสเตอร์ประเภทเดียวกันก็แตกต่างกัน ขึ้นอยู่กับกระแสใน collector ในตัวอย่างวงจรสวิทช์ไฟฟ้าแสงสว่างที่แสดง จะมีตัวต้านทานที่ต้องเลือก(สมมติว่าเป็น 1K)ให้มีขนาดที่ให้กระแสที่ base มีเพียงพอ เพื่อให้แน่ใจว่าทรานซิสเตอร์จะทำงานอิ่มตัว
ในวงจรสวิตช์ใดๆ ค่าของแรงดันไฟฟ้า อินพุต จะถูกจ่ายให้มีขนาดที่จะทำให้ได้ เอาต์พุต เป็น OFF หรือ ON โดยสมบูรณ์ ทรานซิสเตอร์จึงจะทำหน้าที่เป็นสวิตช์ที่ดีและการทำงานแบบนี้ เป็นเรื่องธรรมดาใน วงจรดิจิตอลที่ต้องการเพียง "OFF" และ "ON" เท่านั้น
===ทรานซิสเตอร์เป็น[[ตัวขยายสัญญาณ]]===
[[ไฟล์:NPN common emitter AC.svg|thumb|200px|วงจรขยายแบบ common-emitter ที่ใช้วงจร[[ไบอัส]] แบบตัวแบ่งแรงดัน R1/R2]]
เครื่องขยายแบบอีมิตเตอร์ร่วม ({{lang-en|common-emitter}}) ได้รับการออกแบบเพื่อที่ว่า การเปลี่ยนแปลงเล็กๆ ใน แรงดันไฟฟ้า (V<sub>in</sub>) ทำให้เกิดการเปลี่ยนแปลงเล็กๆในกระแส base ของ ทรานซิสเตอร์; การขยายกระแสของทรานซิสเตอร์รวมกับคุณสมบัติของวงจรทำให้การเปลี่ยนแปลงขนาดเล็กของ V<sub>in</sub> ทำให้เกิดการเปลี่ยนแปลงขนาดใหญ่ของ V<sub>out</sub>
วงจรขยายด้วยทรานซิสเตอร์ตัวเดียวมีรูปแบบหลายอย่าง มีทั้งแบบขยายกระแส หรือแบบขยาย แรงดันไฟฟ้า หรือทั้งสองแบบ
ตั้งแต่โทรศัพท์มือถือไปยังโทรทัศน์ ผลิตภัณฑ์จำนวนมากรวมทั้งเครื่องขยายเสียง เครื่องส่งวิทยุและเครื่องประมวลสัญญาณ เครื่องขยายสัญญาณเสียงด้วยทรานซิสเตอร์เครื่องแรกให้กำลังไม่กี่ร้อยมิลลิวัตต์ แต่กำลังและความชัดเจนของเสียงค่อยๆเพิ่มขึ้น เมื่อทรานซิสเตอร์ที่ดีกว่าถูกผลิตขึ้น และสถาปัตยกรรมเครื่องขยายได้รับการพัฒนาขึ้น
เครื่องขยายเสียงทรานซิสเตอร์ที่ทันสมัยที่มีกำลังเป็นร้อยวัตต์ขึ้นไป เป็นเรื่องธรรมดาและราคาก็ไม่แพงนัก
==เปรียบเทียบกับหลอดสูญญากาศ==
เส้น 29 ⟶ 72:
ก่อนที่จะมีการพัฒนาของทรานซิสเตอร์ หลอดสูญญากาศ (หลอดอิเล็กตรอน, ในสหราชอาณาจักร เรียกว่า "thermionic วาล์ว" หรือแค่ "วาล์ว") เป็นส่วนประกอบหลักใน[[ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์]]
===ข้อดี===
ข้อได้เปรียบสำคัญที่ทำให้ทรานซิสเตอร์ได้รับการยอมรับให้มาแทนที่หลอดสุญญากาศรุ่นก่อน ในการใช้งานส่วนใหญ่คือ
*ไม่มีการบริโภคพลังงานโดยตัวทำความร้อนให้แคโทด
*มีขนาดเล็ก น้ำหนักเบา ที่ช่วยให้เกิดการพัฒนาของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ขนาดจิ๋ว
*แรงดันไฟฟ้าในการทำงานต่ำ ด้วยแบตเตอรี่เพียงไม่กี่เซลล์
*ไม่มีช่วงเวลา warm-up สำหรับตัวทำความร้อนให้แคโทดหลังจากเปิดสวิตช์ใช้งาน
*พลังงานความร้อนต่ำ และ ประสิทธิภาพการใช้พลังงานโดยทั่วไปสูงขึ้น
*ความน่าเชื่อถือสูงขึ้นและความทนทานทางกายภาพมากขึ้น
*อายุการใช้งานยาวนานมาก บางอุปกรณ์ที่ใช้ทรานซิสเตอร์ถูกใช้งานได้นานกว่า 50 ปี
*อุปกรณ์เสริมมีมากมาย ที่จะอำนวยความสะดวกในการออกแบบวงจรที่สมบูรณ์ ขณะที่บางสิ่งบางอย่างหลอดสูญญากาศทำไม่ได้
*ไม่ไวต่อการกระแทกและการสั่นสะเทือน จึงหลีกเลี่ยงปัญหาของการเสียงแตกของลำโพง ในการใช้งานเสียง
*หลอดสูญญากาศสร้างการบิดเบือนเสียง ที่เรียกว่า ''เสียงหลอด'' (แต่บางคนพบว่าหูสามารถอดทนได้) แต่ทรานซิสเตอร์ไม่ทำ (อาจเพราะเป็น ''solid-state'')
===ข้อจำกัด===
*ทรานซิสเตอร์แบบซิลิคอนสามารถชราภาพและล้มเหลว (ทำงานพลาดจากการใช้งานมานาน) ได้
*การดำเนินงานที่ใช้กำลังสูง, หรือที่ความถี่สูง เช่น ใช้ในการออกอากาศโทรทัศน์แบบ ''over-the-air'' จะเป็นผลสำเร็จมากขึ้นถ้าใช้หลอดสุญญากาศ เนื่องจากอิเล็กตรอนในสูญญากาศเคลื่อนไหวได้ดีกว่าในสารกึ่งตัวนำ
*อุปกรณ์ ''solid-state'' (ไม่มีชิ้นส่วนที่เคลื่อนใหวได้) มีความเสี่ยงจากไฟฟ้าสถิตในการจัดการและการดำเนินงาน
*หลอดสูญญากาศที่ ''overload'' (ทำงานเกิน) ช่วงสั้นๆ ก็จะรัอนขึ้นเพียงเล็กน้อย; แต่อุปกรณ์ ''solid state'' มีมวลดูดซับความร้อนที่เกิดจากการ ''overload'' ที่น้อย ในสัดส่วนที่เทียบกับ ''rating'' (''อัตรา'', ในที่นี้:''อัตราการให้ความร้อน'') ของมัน
*ไวต่อการแผ่รังสี และ รังสีคอสมิก (มีชิปพิเศษที่ต้านการแผ่รังสีถูกนำมาใช้สำหรับอุปกรณ์ยานอวกาศ)
ไม่มีประเภท
| |||