ผลต่างระหว่างรุ่นของ "หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแบบพลวัต"

เนื้อหาที่ลบ เนื้อหาที่เพิ่ม
บรรทัด 7:
จุดเด่นอย่างหนึ่งของดีแรมก็คือความง่ายของโครงสร้าง กล่าวคือมีเพียง[[ทรานซิสเตอร์]]หนึ่งตัวประกอบกับตัวเก็บประจุหนึ่งตัวก็เพียงต่อการเก็บข้อมูลหนึ่งบิตแล้ว ต่างกับหน่วยความจำอย่างเอสแรมที่อาจะต้องใช้ 4-6 ทรานซิสเตอร์เพื่อเก็บข้อมูลหนึ่งบิตเท่ากัน ความง่ายนี่เองทำให้ดีแรมมีความจุต่อพื้นที่สูงกว่าเอสแรม และได้รับความนิยมมากกว่า
 
[[หมวดหมู่:อุปกรณ์ประวัติฮาร์ดแวร์คอมพิวเตอร์]]
[[หมวดหมู่:หน่วยความจำคอมพิวเตอร์]]
[[หมวดหมู่:สิ่งประดิษฐ์ของสหรัฐอเมริกา]]
 
[[af:Dinamiese ewetoeganklike geheue]]