ผลต่างระหว่างรุ่นของ "หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแบบพลวัต"

'''หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแบบพลวัต''' ({{lang-en|Dynamic random-access memory, DRAM}}) หรือ '''ดีแรม''' เป็น[[หน่วยความจำชั่วคราว]]ที่[[หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่ม|เข้าถึงโดยสุ่ม]] (หรือ แรม) โดยเก็บข้อมูลแต่ละ[[บิต]]ในแต่ละ[[ตัวเก็บประจุ]]ซึ่งอยู่ภายใน[[แผงวงจรรวม]]ของหน่วยความจำ การทำงานอาศัยการเก็บประจุและการเสียประจุของแต่ละตัวเก็บประจุซึ่งจะใช้แทนค่า 0 และ 1 ของแต่ละบิตได้ แต่เมื่อหน่วยความจำมีการเสียประจุออกจึงทำให้ข้อมูลที่เก็บไว้นั้นอันตรธานหายไปด้วย ดังนั้นการใช้ดีแรมจึงต้องมีการทวนความจำให้กับดีแรมอย่างสม่ำเสมอตราบเท่าที่ยังต้องการให้มันเก็บข้อมูลได้อยู่ จึงทำให้เรียกแรมชนิดนี้ว่าพลวัต (ซึ่งตรงข้ามกับ[[หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแบบสถิต|เอสแรม]]) และทำให้ดีแรมถือเป็น[[หน่วยความจำชั่วคราว]]ด้วย