ผลต่างระหว่างรุ่นของ "ไดโอด"

 

=== การฟื้นตัวกลับ ===

 

ผลกระทบที่เกิดขึ้นนั้นมีความสลักสำคัญเมื่อมีการสวิตชิ่ง (switching) ของกระแสที่สูงและรวดเร็วมาก (di/dt มีค่า 100 A/µs หรือมากกว่านั้น) <ref>[http://ecee.colorado.edu/~ecen5817/hw/hw1/Diode%20reverse%20recovery%20in%20a%20boost%20converter.pdf]</ref> ค่าที่แน่นอนของ "เวลาฟื้นตัวกลับ (reverse recovery time) " <math>t_r</math> (อยู่ในช่วงเวลาเป็นนาโนวินาที) อาจจะเคลื่อนย้าย "ประจุฟื้นตัวกลับ (reverse recovery charge) " <math>Q_r</math> (อยู่ในช่วงนาโนคูลอมป์) ออกจากไดโอด ในระยะเวลาระหว่างฟื้นตัวนี้ไดโอดจะสามารถทำงานในทิศทางตรงข้ามได้ แน่นอนว่าในความเป็นจริงผลกระทบนี้มีความสำคัญในการพิจารณาความสูญเสียที่เกิดขึ้นอันเนื่องมาจากไดโอดไม่เป็นอุดมคติ<ref>[http://ecee.colorado.edu/~ecen5797/course_material/SwLossSlides.pdf]</ref> อย่างไรก็ตามอัตราการแกว่ง (slew rate) ของกระแสไฟฟ้านั้นรุนแรงมาก (di/dt มีค่า 10 A/µs หรือนอ้ยกว่านั้น) ผลกระทบนี้ยังอยู่ในเกณฑ์ที่ปลอดภัยจึงละเลยไว้ได้<ref>[http://ecee.colorado.edu/~ecen5817/hw/hw1/Diode%20reverse%20recovery%20in%20a%20boost%20converter.pdf]</ref> ในการใช้งานไดโอดส่วนใหญ่จึงไม่มีผลกระทบที่สำคัญมากนัก