ผลต่างระหว่างรุ่นของ "หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแบบพลวัต"

'''หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแบบพลวัต''' ({{lang-en|Dynamic random-access memory, DRAM}}) หรือ '''ดีแรม''' เป็น[[หน่วยความจำชั่วคราว]][[หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่ม|เข้าถึงโดยสุ่ม]] (หรือ แรม) โดยเก็บข้อมูลแต่ละ[[บิต]]ในแต่ละ[[ตัวเก็บประจุ]]ซึ่งอยู่ภายใน[[แผงวงจรรวม]]ของหน่วยความจำ การทำงานอาศัยการเก็บประจุและการเสียประจุของแต่ละตัวเก็บประจุซึ่งจะใช้แทนค่า 0 และ 1 ของแต่ละบิตได้ แต่เมื่อหน่วยความจำมีการเสียประจุออกจึงทำให้ข้อมูลที่เก็บไว้นั้นอันตรธานหายไปด้วย ดังนั้นการใช้ดีแรมจึงต้องมีการทวนความจำให้กับดีแรมอย่างสม่ำเสมอตราบเท่าที่ยังต้องการให้มันเก็บข้อมูลได้อยู่ จึงทำให้เรียกแรมชนิดนี้ว่าพลวัต (ซึ่งตรงข้ามกับ[[หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแบบสถิต|เอสแรม]]) และทำให้ดีแรมถือเป็นหน่วยความจำชั่วคราวด้วย

 

 

จุดเด่นอย่างหนึ่งของดีแรมก็คือความง่ายของโครงสร้าง กล่าวคือมีเพียง[[ทรานซิสเตอร์]]หนึ่งตัวประกอบกับตัวเก็บประจุหนึ่งตัวก็เพียงต่อการเก็บข้อมูลหนึ่งบิตแล้ว ต่างกับหน่วยความจำอย่างเอสแรมที่อาจะต้องใช้ 4-6 ทรานซิสเตอร์เพื่อเก็บข้อมูลหนึ่งบิตเท่ากัน ความง่ายนี่เองทำให้ดีแรมมีความจุต่อพื้นที่สูงกว่าเอสแรม และได้รับความนิยมมากกว่า