ผลต่างระหว่างรุ่นของ "หน่วยความจำแฟลช"
เนื้อหาที่ลบ เนื้อหาที่เพิ่ม
ลไม่มีความย่อการแก้ไข |
ไม่มีความย่อการแก้ไข |
||
บรรทัด 3:
'''หน่วยความจำแฟลช''' ({{lang-en|Flash memory}}) หรือ '''แฟลช''' คือ อุปกรณ์[[อุปกรณ์เก็บข้อมูล|เก็บข้อมูล]][[หน่วยความจำถาวร|ถาวร]]สำหรับคอมพิวเตอร์ที่สามารถลบและเขียนใหม่ได้ โดยมีลักษณะการทำงานเป็นอิเล็กทรอนิกส์ทั้งหมด กล่าวคือไม่มีชิ้นส่วนที่เคลื่อนที่ขณะทำงาน (ต่างกับ[[ฮาร์ดดิสก์]]ที่มีจานแม่เหล็กหมุนตลอดเวลาขณะทำงาน)
หน่วยความจำแฟลชพัฒนาต่อมาจาก [[EEPROM]] (หน่วยความจำแบบ[[รอม]]ที่สามารถลบข้อมูลได้) ปัจจุบันหน่วยความจำแฟลชมีด้วยกันสองชนิดคือ หน่วยความจำแฟลชชนิด [[ลอจิกเกต#.E0.B9.80.E0.B8.81.E0.B8.95_NOR|NAND]] และหน่วยความจำแฟลชชนิด [[ลอจิกเกต#.E0.B9.80.E0.B8.81.E0.B8.95_NOR|NOR]] ซึ่งเป็น NAND และ NOR เป็นชื่อของโลจิกเกตที่เซลล์หน่วยความจำแฟลชแต่ละชนิดใช้
หน่วยความจำแฟลชชนิดที่ได้รับความนิยมในปัจจุบันคือ ชนิด NAND และใช้เป็นหน่วยความจำใน [[แฟลชไดรฟ์]], [[โซลิดสเตตไดรฟ์]], [[เมโมรีการ์ด]] และผลิตภัณฑ์อื่นๆ อีกมาก
{{โครง}}
| |||