ผลต่างระหว่างรุ่นของ "หน่วยความจำแฟลช"
เนื้อหาที่ลบ เนื้อหาที่เพิ่ม
ลไม่มีความย่อการแก้ไข |
ไม่มีความย่อการแก้ไข |
||
บรรทัด 6:
หน่วยความจำแฟลชพัฒนาต่อมาจาก EEPROM (หน่วยความจำแบบ[[รอม]]ที่สามารถลบข้อมูลได้) ปัจจุบันหน่วยความจำแฟลชมีด้วยกันสองชนิดคือ หน่วยความจำแฟลชชนิด [[ลอจิกเกต#.E0.B9.80.E0.B8.81.E0.B8.95_NOR|NAND]] และหน่วยความจำแฟลชชนิด [[ลอจิกเกต#.E0.B9.80.E0.B8.81.E0.B8.95_NOR|NOR]] ซึ่งเป็น NAND และ NOR เป็นชื่อของโลจิกเกตที่เซลล์หน่วยความจำแฟลชแต่ละชนิดใช้
หน่วยความจำแฟลชชนิดที่ได้รับความนิยมในปัจจุบันคือ ชนิด NAND และใช้เป็นหน่วยความจำใน [[แฟลชไดรฟ์]], [[โซลิดสเตตไดรฟ์]], [[เมโมรีการ์ด]] และผลิตภัณฑ์อื่นๆ อีกมาก
| |||