ผลต่างระหว่างรุ่นของ "หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแบบจำข้อมูลถาวร"
เนื้อหาที่ลบ เนื้อหาที่เพิ่ม
ลไม่มีความย่อการแก้ไข |
ลไม่มีความย่อการแก้ไข |
||
บรรทัด 2:
'''หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแบบจำข้อมูลถาวร''' ({{lang-en|Non-volatile random-access memory}}) หรือ '''แรมจำข้อมูลถาวร''' คือ หน่วยความจำเข้าถึงข้อมูลโดยสุ่มที่ยังสามารถเก็บข้อมูลอยู่แม้จะไม่มีไฟฟ้าหล่อเลี้ยง (หรือ [[หน่วยความจำถาวร]]) โดยทั่วไปเรามักจะคุ้นกับคำว่า [[แรม]] หรือ [[ดีแรม]] (DRAM) ที่ใช้เป็นหน่วยความจำหลักในเครื่องคอมพิวเตอร์ แต่แรมเหล่านี้จะลืมข้อมูลเมื่อไฟฟ้าดับ
แรมจำข้อมูลถาวรที่เรารู้จักกันดีที่สุดในปัจจุบันก็คือ [[หน่วยความจำแบบแฟลช]] ซึ่งนำไปสร้างเป็นสิ่งต่างๆ เช่น [[แฟลชไดรฟ์]], [[โซลิดสเตตไดรฟ์]] (ซึ่งสามรถประดิษฐ์จากแรมชั่วคราวได้ด้วย) ถึงแม้หน่วยความจำแบบแฟลชจะมีประสิทธิภาพดีกว่า[[จานบันทึกแบบแข็ง]]มาก แต่ก็ยังถือว่าห่างไกลกับแรมที่ใช้เป็นหน่วยความจำหลักของเครื่องคอมพิวเตอร์ปัจจุบันมากนัก และหน่วยความจำแบบแฟลชที่สามารถหาซื้อได้ตามท้องตลาดในปัจจุบันจะมีข้อจำกัดทางด้านจำนวนครั้งในการเขียนทับ (ซึ่งปกติแล้วไม่เกิน 100,000 ครั้งการเขียนทับก็จะเสื่อมสภาพ) เปรียบเทียบกับแรมจำข้อมูลชั่วคราวที่หาได้ทั่วไปตามท้องตลาดที่สามารถเขียนทับแทบจะเรียกได้ว่าไม่จำกัดจำนวนครั้ง ดังนั้นความพยายามในปัจจุบันคือการพัฒนาแรมจำข้อมูลถาวรให้มีประสิทธิภาพดี และทนทานเทียบเท่ากับแรมแบบจำข้อมูลชั่วคราวให้ได้
==แรมจำข้อมูลถาวรยุคใหม่==
| |||