ผลต่างระหว่างรุ่นของ "ไดโอด"

เพิ่มขึ้น 237 ไบต์ ,  11 ปีที่แล้ว
==ผลกระทบของอุณหภูมิ (Temperature Effects)==
จากการทดลองพบว่า Is ของ Si จะมีค่าเพิ่มขึ้นเกือบ 2 เท่า ทุกๆ ครั้งที่อุณหภูมิเพิ่มขึ้น 10 องศาเซลเซียส ขณะที่ Ge ม ีค่า Is เป็น 1 หรือ 2 micro-amp ที่ 25 องศาเซลเซียส แต่ที่ 100 องศาเซลเซียสจะมีค่า Is เพิ่มขึ้นเป็น 100 micro-amp ระดับกระแสไฟฟ้าขนาดนี้จะเป็นปัญหาต่อการเปิดวงจรเรื่องจากได้รับการไบอัสกลับ เพราะแทนที่ Id จะมีค่าใกล้เคียงศูนย์ แต่กลับนำกระแสได้จำนวนหนึ่งตามอุณหภูมิที่เพิ่มขึ้น
 
==แหล่งข้อมูลอื่น==
*[http://www.english.thaiio.com/%E0%B9%84%E0%B8%94%E0%B9%82%E0%B8%AD%E0%B8%94-diode/ อิเล็คทรอนิกส์เบื้อต้นเรื่องไดโอด]
 
[[หมวดหมู่:อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์|ดไโอด]]
ผู้ใช้นิรนาม